IC级4英寸热氧化单晶抛光硅片

们生产加工IC级4英寸热氧化单晶抛光硅片

等级：Prime

生长方式：CZ/FZ

直径:100mm+/-0.2mm

导电类型/掺杂 P/Boron N/Phos

晶向：<100> <110> <111>

电阻率（欧姆厘米）： (0.0001 - 0.9 ）/(1 - 10)/ (10 - 100)/ >100

厚度(um)：525+/-15 可定制

氧化层厚度（纳米nm）5nm 50nm 100nm 285nm 300nm 1000nm可定制

氧化层厚度均匀度 < 5%

表面/背面： 抛光/腐蚀 抛光/抛光

位错:无

晶体缺陷：无

少子寿命(us)：电子级